플립플롭
정적 RAM, 플립플롭의 한 형태로 각 비트를 저장합니다. 메모리 셀의 플립 플롭은 일부 배선과 함께 4개 또는 6개의 트랜지스터를 가져가지만 새로 고칠 필요는 없다. 이것은 정적 RAM을 동적 RAM보다 훨씬 빠르게 만든다. 그러나 정적 메모리 셀은 동적 메모리 셀보다 칩의 공간을 훨씬 더 많이 차지합니다. 따라서 칩당 메모리 양이 적어지고 정적 RAM이 훨씬 더 비쌉니다. 정적 RAM은 빠르고 비싸며, 동적 RAM은 더 저렴하고 느립니다. 정적 RAM은 CPU의 속도에 민감한 캐시를 생성하는 데 사용되는 반면 동적 RAM은 더 큰 시스템 RAM 공간을 형성합니다. 일부 다른 RAM은 : (a) EDO (확장 데이터 출력) RAM: EDO RAM에서는 모든 메모리 위치에 액세스할 수 있습니다. 256바이트의 데이터 정보를 래치에 저장합니다. 래치는 순차적으로 실행되는 대부분의 프로그램에서 대기 상태 없이 데이터를 사용할 수 있도록 다음 256바이트의 정보를 저장합니다. (b) SDRAM(동기식 DRAMS), SGRAM(동기식 그래픽 RAM) 이 RAM 칩은 CPUuse와 동일한 클럭 속도를 사용합니다. CPU가 준비될 것으로 예상할 때 데이터를 전송합니다. (c) DDR-SDRAM (Double Data Rate – SDRAM) : 이 RAM은 클럭의 양쪽 가장자리에서 데이터를 전송합니다. 따라서 데이터의 전송 속도는 두 배가 됩니다. ROM – 읽기 전용 메모리 이것은 영구 메모리입니다. 컴퓨터만이 지시사항을 읽을 수 있다. 시스템 작동과 관련된 지침은 여기에 저장됩니다. 이러한 지침은 제조업체에서 작성하며 사용자가 편집할 수 없습니다. 시스템이 켜지면 ROM 명령이 즉시 실행되어 모든 I/O 장치의 작동에 사용됩니다. ROM a에는 3가지 유형이 있습니다. PROM – Programmable Read Only Memory 비휘발성 메모리입니다. 프로그래머가 지침을 한 번 작성한 다음 읽을 수 있습니다. b. EPROM – Eraseable Programmable Read Only Memory PROM 칩에 비해 향상된 기능입니다. 명령어들은 특별한 기술을 사용하여 프로그래머에 의해 다시 쓰여질 수 있다. 사용설명서는 자외선을 이용하여 지우고 다시 씁니다. 지침을 변경하려면 칩을 기계에서 제거한 다음 변경한 후에 다시 넣어야 합니다. c. EEPROM – Electronic Erasable Programmable Read Only Memory EPROM보다 발전된 메모리이므로 칩을 기계에서 꺼낼 필요가 없습니다. 대신 프로그래밍은 소프트웨어를 사용하여 수행됩니다. 이 칩은 POS(Point-of-Sale) 단말기에서 가격 관련 정보를 기록하는 데 사용되며, 필요에 따라 업데이트도 가능하다. 하지만 일반 ROM 칩에 비해 가격이 비쌉니다. Computing Essentials 2004 Chapter 6 Secondary Storage Secondary Memory 이러한 유형의 메모리는 외장 메모리 또는 비휘발성 메모리라고도 합니다. 이것은 대용량 저장 및 보조 메모리라고도 불린다.이 메모리는 데이터를 저장하고 검색하는 동안 기계적인 동작 기술을 사용하기 때문에 메인 메모리보다 느립니다. 이 메모리의 크기는 Main 메모리보다 크지만 프로세서와 오프라인으로 연결되어 있기 때문에 프로세서가 직접 접근할 수 없습니다. 즉, 프로세서가 RAM 처리를 시작하기 전에 보조 저장소의 데이터를 RAM에 로드해야 합니다. 주 메모리는 보조 메모리를 프로세서에 연결합니다. 메인 메모리보다 느립니다. 데이터/정보를 영구적으로 저장하는 데 사용됩니다. CPU는 입출력 루틴을 통해 이러한 메모리에 직접 접근하지 않는다. 보조 메모리의 특성 • 자기 메모리와 광학 메모리 • 백업 메모리라고 합니다. • 비휘발성 메모리입니다. • 전원을 꺼도 데이터가 영구적으로 저장된다. • 이것은 컴퓨터에 데이터를 저장하는 데 사용됩니다. • 컴퓨터는 보조 메모리 없이 실행될 수 있습니다. • 기본 메모리보다 느립니다. 보조 스토리지의 중요한 특징은 다음과 같습니다: 미디어 또는 매체: 데이터를 보관하는 실제 물리적 재료